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ISL9N312AP3中文资料

  • 大小：140.46KB
  • 厂家：FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
  • 描述：N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs
  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：58 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.012 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-220AB
  • 封装：Tube
  • 下降时间：30 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：75 W
  • 上升时间：60 ns, 30 ns
  • 工厂包装数量：400
  • 典型关闭延迟时间：25 ns, 45 ns

ISL9N312AP3供应商

更新时间:2023-02-07 22:28:40
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